英飞凌选用CoolSiCMOSFET技能 推出新式轿车电源模块

  盖世轿车讯 5月3日，英飞凌科技公司宣告推出一款新式轿车电源模块HybridPACK™ Drive CoolSiC™。该全桥模块选用CoolSiC MOSFET技能，阻断电压为1200V，适用于电动轿车(EV)的牵引逆变器。根据轿车CoolSiC沟槽MOSFET技能，该电源模块适用于高功率密度和高性能使用，然后为具有超长续航和较低电池本钱的车辆逆变器供给更高的功率，特别是搭载800 V电池体系和更大电池容量的车辆。

  现代轿车集团电气化开发团队负责人Jin-Hwan Jung博士表明：“全球模块化电动渠道(E-GMP)的800 V体系为下一代电动轿车奠定了技能根底，缩短了充电时刻。使用根据英飞凌CoolSiC电源模块的牵引逆变器，咱们也可以将车辆的行进路程进步5%以上，由于与根据硅的解决方案比较，这种SiC解决方案的损耗更低，并进步了功率。”

  英飞凌立异与新式技能负责人Mark Münzer表明：“电动轿车市场已高度活泼，为构思和立异奠定了根底。跟着SiC器材价格的一会儿就下降，SiC解决方案的商业化将加快，然后使SiC技能被大范围的使用于进步电动车的续航才能，而选用SiC技能的渠道也更具本钱效益。”

  该电源模块可为从硅到碳化硅的相同途径供给简洁的晋级途径，然后使得逆变器规划可以在1200 V级中完成高达250 kW的高功率、更长的续航才能、更小的电池尺度以及优化的体系尺度和本钱。为了在不一样的功率水平下供给最佳的性价比，该产品供给具有不一样芯片数的两种版别，即1200 V 400 A或200 A直流额定值版别。

  第一代CoolSiC轿车MOSFET技能被优化以用于牵引逆变器，专心完成最低的传导损耗，尤其是在部分负载条件下。与硅IGBT比较，结合碳化硅MOSFET的低开关损耗可进步逆变器操作功率。