根据MOS管的双电源主动切换电路设计

  但是，最近小编看到了别的两种主副电源主动切换的电路设计，觉得很有实用价值，共享给咱们。

  当VUSB进行供电时（5V），PMOS的G端：为5V，此刻PMOS不导通，电压经过二极管D1直接抵达VCC。如下图：

  当VUSB断开后，PMOS的G端的电压（5V）由电阻R1下拉到GND，此刻PMOS导通，VCC由VBAT（为锂电池）供电。如下图：

  在这儿加以阐明：在MOS管还未导通之前，S端的电压比G端的要高，因而MOS管会导通，导通今后MOS管的寄生二极管会短路，并不复兴效果。

  前面的电路加了D1二极管，是很难完成0压降，由于D1的压降最小也需求0.3V。

  咱们来看下面这个电路，相较于前面的电路，它利用了MOS管的低导通RDS（on）特性，提高了电路的功率。

  当VIN1（主电源）为3.3V时，Q1的NMOS导通，接着拉低了Q3 PMOS的栅极， Q3 开端导通。

  此刻Q2 MOS的G-S之间的电压等于Q3 PMOS的导通压降，大约为几十mV。因而Q2 MOS管封闭，VIN2（外部电源）断开，VOUT由VIN1进行供电，此刻VOUT=3.3V。

  讲到这儿咱们咱们能够看到，当电路由VIN2（外部电源）供电时，静态功耗“消失了”直接为0。整个电路简直不存在压降，除非电流很大。

  不过，也有网友反响，这个电路在主电源下降过程中，可能会存在一些问题：Q3未彻底关断而Q2就开端导通，外电源经过Q2、Q3构成通路，阻挠了主电源的下降。

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